| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-337 - C5-341 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983550 | |
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-337-C5-341
DOI: 10.1051/jphyscol:1983550
Cambridge University Engineering Department, Trumpington Street, Cambridge CB2 1PZ, U.K.
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-337-C5-341
DOI: 10.1051/jphyscol:1983550
TECHNIQUES FOR PRODUCING DEFECT-FREE SOI BY DUAL ELECTRON BEAM HEATING OF DEPOSITED POLYSILICON
J.R. Davis, R.A. McMahon et H. AhmedCambridge University Engineering Department, Trumpington Street, Cambridge CB2 1PZ, U.K.
Résumé
On décrit des progrès dans la technique de recristallisation en utilisant le double faisceau électronique qui résulte du balayage rapide d'un faisceau-ligne parallèle aux bords de fenêtres de germination étroites. Les couches recristallisées qui en résultent sont presque sans défauts, ont une bonne égalité de surface et couvrent des grandes surfaces.
Abstract
Advances in the dual electron-beam recrystallisation technique arising from the fast scanning of a line beam parallel to the edges of narrow seeding windows are described. The resultant recrystallised layers are essentially defect-free, have good surface flatness, and cover large areas.