RECOMBINAISON RADIATIVE ET EFFETS DE SPIN DANS LE SILICIUM MICROCRISTALLIN POST-HYDROGENE PLASMA

Résumé
Nous présentons des résultats préliminaires sur la luminescence du silicium microcristallin obtenu par LPCVD sur saphir, à 620°C, et hydrogéné plasma à 400°C. Le spectre de luminescence obtenu à 5 K présente six bandes non résolues réparties entre 0,45 et 1 eV, et une bande plus large à plus haute énergie (1,4 eV). Les bandes à basses énergies proviennent vraisemblablement des défauts associés aux grains et aux joints de grains. Les bandes à 0,75 et 0,85 eV présentent un signal RMDO (Résonance Magnétique Détectée Optiquement) d'augmentation et de diminution respectivement. Le signal d'augmentation est la convolution de deux raies ; une étroite à g = 1,9997, de largeur 18 Gauss, une large à g = 2,016 et de largeur 100 Gauss. Le signal de diminution est constitué d'une seule raie à 2,0043 et de largeur 25 Gauss.

Abstract
We report preliminary results of photoluminescence and Optically Detected Magnetic Resonance (O.D.M.R.) studies in microcrystalline silicon elaborated on sapphire by LPCVD and plasma-hydrogenated at 400°C. The 5K luminescence spectrum shows 6 unresolved bands between 0.45 and 1 eV, and one broader band at higher energy (1.4 eV). The 0.75 and 0.85 eV bands show an ODMR enhancing and quenching signal, respectively. The enhancing spectrum is a convolution of two signals : a narrow signal at g = 1.9997, width 18 Gauss, and a broad signal at g = 2.016, width 100 Gauss. The quenching signal is at g = 2.0043 and of width = 25 Gauss.