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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-51 - C1-56 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982108 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-51-C1-56
DOI: 10.1051/jphyscol:1982108
THE STRUCTURE AND CRYSTALLOGRAPHY OF LATERAL TWIN BOUNDARIES I N SILICON
R.C. PondDepartment of Metallurgy & Materials Science, The University of Liverpool, P.O. Box 147, Liverpool L69 3BX, U.K.
Résumé
La structure de la macle (211) du silicium est discutée. Une structure constituée de cycles à 5 et 7 atomes est proposée ; elle ne comporte pas de liaisons pendantes et ne nécessite qu'une faible distorsion de l'environnement tétraédrique. On montre que le modèle est en excellent accord avec des mesures expérimentales récentes de la position relative des deux cristaux adjacents. L'interface est également étudiée du point de vue cristallographique et toutes les variantes de ce type d'interface sont énumérées.
Abstract
The structure of lateral twin boundaries in silicon is discussed. A structure comprising five and seven membered rings is proposed which contains no dangling bonds and little distortion of the tetrahedral bonding. The model is shown to be in excellent agreement with recent experimental measurements of the relative position of the adjacent crystals. The crystallography of the interface is also considered, and al1 the equivalent variants of this type of interface are enumerated.