FAR-INFRARED CYCLOTRON RESONANCE OF PHOTOEXCITED HOT CARRIERS IN INDIUM ANTIMONIDE

Résumé
Nous avons fait l'expérience de résonance cyclotronique sur les porteurs produits par 1'excitation de lumière intrinsèque dans InSb, tant de type n que de type p, sous la condition thermique de l'hélium liquide. En voici nos résultats : tout d'abord, la température des électrons s'élève au-dessus de 40 K, et la constante de temps de refroidissement est à 6,5 µs ; la durée de vie du système des électrons ainsi produits est longue, même de l'ordre de 10 µs dans p-InSb à 4,2 K, tandis que dans le matériau de type n, elle est encore plus longue ; et, nous avons pu observer en même temps la résonance des électrons que celle des trous, ce qui nous permet de déterminer une nouvelle série de paramètres Luttinger de la bande de valence. Il faut ajouter que l'émission cyclotronique des électrons produits par l'excitation de lumière ressemble à celle de l'excitation électrique.

Abstract
Cyclotron resonance experiment has been performed at liquid helium temperatures for intrinsically photoexcited carriers both in n- and in p-InSb. Electron temperature above 40 K is observed. Its cooling time constant is found to be 6.5 µs. Lifetime as long as >≈ 10 µs is observed at 4.2 K for the photo-excited electron system in the p-type material. That in the n-type material is even longer. Joint observation of electron and hole resonances in an n-type material has enabled us to determine a new set of Luttinger parameters for the valence band. Cyclotron emission like in the case of electric field excitation has been observed also for the photoexcited hot electron system.