| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C7-357 - C7-367 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981744 | |
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-357-C7-367
DOI: 10.1051/jphyscol:1981744
TRANSIENT REGIMES OF HOT CARRIERS IN p-TYPE SILICON
L. Reggiani1, J.C. Vaissière2, J.P. Nougier2 et D. Gasquet21 Gruppo Nazionale di Struttura della Materia, Istituto di Fisica, Univevsità di Modena, Via Campi 213/A, 41100 Modena, Italy
2 Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Centre d'Etudes d'Electronique des Solides, Laboratoire associé au C.N.R.S. LA 21 et Greco Microondes, 34060 Montpellier Cedex, France
Résumé
On compare les régimes transitoires obtenus, sur Si-p à 300 K, par simulation de Monte Carlo et résolution itérative de l'équation de Boltzmann : l'accord est excellent. Le régime transitoire : a) dépend assez peu des formes de bandes d'énergie, b) dépend beaucoup de l'énergie initiale, une augmentation de celle-ci peut faire disparaître la survitesse, c) dépend peu de la forme de la distribution initiale. Dans tous les cas, le régime transitoire déterminé en utilisant les équations dynamiques donne un accord très satisfaisant avec les précédentes simulations.
Abstract
A comparison is made between transient regimes obtained, on p-Si at 300 K, by a Monte Carlo simulation and by an iterative solution of the Boltzmann equation : the agreement is excellent. The transient regime : a) depends relatively few on the energy bandshapes ; b) Is strongly dependent on the initial energy, the increase of which may lead to a disappearance of the velocity overshoot ; c) Slowly depends on the shape of the initial distribution function. In every cases, the transient regime computed using the balance equations is in very satisfactory agreement with the previous simulations.