Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C6, Juillet 1980
THIRD EUROPHYSICS TOPICAL CONFERENCE
LATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS
Page(s) C6-335 - C6-339
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980685
THIRD EUROPHYSICS TOPICAL CONFERENCE
LATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS

J. Phys. Colloques 41 (1980) C6-335-C6-339

DOI: 10.1051/jphyscol:1980685

Electronic conductivity of non stoichiometric yttria-doped ceria

M. Lévy, J. Fouletier et M. Kleitz

Laboratoire d'Energétique Electrochimique (LA 265), ENSEEG, BP 44, Domaine Universitaire, 38401 Saint Martin d'Hères, France


Résumé
Une méthode d'étude fondée sur une utilisation quantitative de la coloration électrochimique a été appliquée à la cérine dopée à l'oxyde d'yttrium. La largeur du domaine de non-stoechiométrie de la cérine dépend de la teneur en yttrium. Sa conductivité électronique est simplement proportionnelle au nombre d'électrons injectés. Elle est due à un mécanisme de saut. Contrairement à l'hypothèse habituelle, la mobilité électronique varie de façon significative avec la teneur en yttrium.


Abstract
A method of investigation based on a quantitative utilisation of the electrochemical coloration was applied to yttria doped ceria. The width of its non-stoichiometry range depends upon the yttria content. Its electronic conductivity is simply proportional to the number of injected electrons. It is due to a hopping process. In contrast to the usual assumption the electronic mobility was found to vary significantly with the yttria content.