Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors

J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-177-C5-180
DOI: 10.1051/jphyscol:1980530

RESISTIVITY OF TmSe UNDER PRESSURE AT VERY LOW TEMPERATURE

J. Flouquet¹, P. Haen¹, F. Holtzberg², F. Lapierre¹, J.M. Mignot³, M. Ribault⁴ et R. Tournier<sup>1

1</sup>  Centre de Recherches sur les Très Basses Températures, C.N.R.S., BP 166 X , 38042 Grenoble-Cedex, France. (Laboratoire associé à l'Université Scientifique et Médicale de Grenoble).
²  IBM Watson Center, Yorktown Heights, NY 10598, USA.
³  Centre de Recherches sur les Très Basses Températures, C.N.R.S., BP 166 X , 38042 Grenoble-Cedex, France. (Laboratoire associé à l'université Scientifique et Médicale de Grenoble).
⁴  Laboratoire de Physique des Solides, Orsay, France.

Résumé
Nous décrivons des mesures de résistivité d'un échantillon presque stoechiométrique sous des pressions allant jusqu'à 6 kbars, jusqu'à une température de 25 mK. A 6 kbars, la résistivité atteint 120 mΩ.cm à 30 mK alors que, au-dessus de T_N, elle est de 1,65 mΩ.cm à 4,2 K. La résistivité croît exponentiellement avec la pression à très basse température et linéairement au voisinage de T_N. Nous comparons ces résultats à la variation sous pression de l'aimantation d'un sous réseau mesurée par diffraction neutronique et à la résistivité d'autres composés de valence intermédiaire.

Abstract
Resistivity measurements of a nearly stoichiometric sample up to 6 kbar and down to 25 mK are reported. For 6 kbar, the resistivity ρ rises up to 120 mΩ.cm at 30 mK whereas just above the ordering temperature T_N at 4.2 K its value is 1.65 mΩ.cm. The increase of ρ is exponential with the pressure at very low temperature and linear in the vicinity of T_N. Comparisons are made with the pressure dependence of the sublattice magnetization measured by neutron diffraction and with resistivity of other intermediate valence compounds.