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J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
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Page(s) | C5-93 - C5-95 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980517 |
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-93-C5-95
DOI: 10.1051/jphyscol:1980517
Laboratoire de Physique des Solides, Université de Paris-Sud, 91405 Orsay, France.
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-93-C5-95
DOI: 10.1051/jphyscol:1980517
REMARKS ON THE CRITICAL BEHAVIOUR OF THE OPTICAL ABSORPTION EDGE OF A MOTT FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR
M. Héritier et P. LedererLaboratoire de Physique des Solides, Université de Paris-Sud, 91405 Orsay, France.
Résumé
Le gap optique critique d'un semiconducteur ferromagnétique de Mott, tel que, probablement, CdCr2Se4, doit différer qualitativement de celui d'un semiconducteur usuel. En particulier, on ne prévoit pas de terme proportionnel à l'aimantation en dessous de Tc.
Abstract
The critical gap of a Mott ferromagnetic semiconductor, like possibly CdCr2Se4, should differ qualitatively from that of a usual semiconductor. In particular, no magnetization term is expected below Tc.