Transport anomalies in CeCu₂Si₂

Résumé
Les propriétés de transport (résistance spécifique ρ, force thermoélectrique S, conduction thermique k) de CeCu₂Si₂ avec un niveau 4f instable et de LaCu₂Si₂ comme combinaison de référence ont été mesurées entre 1,5 K et 300 K. Pour CeCu₂Si₂ ρ atteint 220 µΩcm (à 200 K), ce qui indique un libre parcours moyen pour les électrons de l'ordre de grandeur de la distance Ce-Ce. Conformément à cela au-dessous de 100 K, nous déduisons k ≈ k_p (conductivité thermique des phonons). Les résultats à basse température pour S suggèrent un comportement d'un liquide de Fermi lourd avec une température caractéristique T* = (30 ± 10) K. Au-dessus de 20 K une dépendance distincte en température de ρ et S provient de la séparation entre les niveaux du champ cristallin du niveau j = 5/2 de Ce³⁺ avec un niveau 4f instable.

Abstract
The transport properties (resistivity ρ, thermopower S, thermal conductivity k) of CeCu₂Si₂ with unstable 4f shell and of LaCu₂Si₂ as reference compound were measured between 1.5 K and 300 K. For CeCu₂Si₂, ρ becomes as large as 220 µΩcm (at 200 K) indicating an electronic mean free path of the order of the Ce-Ce spacing. Correspondingly, below 100 K we infer k ≈ k_p (phonon conductivity). The low temperature results of S suggest heavy Fermi liquid behavior with characteristic temperature T* = (30 ± 10) K. Above 20 K, a distinct temperature dependence of both ρ and S originates in the crystal field splitting of the j = 5/2 state of Ce³⁺ with unstable 4f shell.