COEXISTENCE OF INSULATING AND METALLIC ELECTRONIC PHASES IN DOPED SEMICONDUCTORS AT LOW TEMPERATURE : ELEMENTS OF A CONCENTRATION TEMPERATURE DIAGRAM

Résumé
Nous présentons une analyse de la transition isolant-métal dans les semiconducteurs dopés à basse température (transition de Mott) basée sur le formalisme de la fonctionnelle de la densité (Kohn-Sham) dans l'approximation cellulaire (Wigner-Seitz). Nous montrons que dans un domaine étroit de concentration en impuretés, coexistent au niveau de Fermi des états localisés et des états étendus et nous présentons des éléments d'un diagramme de phase. L'interprétation de différentes expériences à partir de ces résultats sera brièvement discutée.

Abstract
The metal-insulator transition in doped semiconductors at low temperature (Mott transition) is studied with the help of the density functional (Kohn-Sham) formalism within the cellular (Wigner-Seitz) approximation. It is shown that localized states and extended states coexist at the Fermi level in a narrow impurity concentration range. Elements of a phase diagram are presented, The relevance of this result to interpret various experiments is briefly discussed.