EXTENSION DES DOMAINES ÉLECTRONIQUES DE HUME-ROTHERY AUX P HASES ORDONNÉES COMPLEXES BINAIRES ET TERNAIRES A BASE DE MÉTAUX I_B, OU VIII_A

Résumé
Dans le présent travail nous établissons une systématique structurale des phases ordonnées compactes ou non compactes binaires ou ternaires à base de métaux I_B, ou VIII^A. Nous montrons que la notion de motif de plan dense permet de construire toutes les mailles ordonnées, quel que soit leur degré de complexité (à l'exception des structures antiphases périodiques ou de la structure β manganèse), à partir de 3 motifs seulement, dont les stoechiométries de sites sont XY, XY₃ et XYZ₂. La frontière de stabilité compacte ou non compacte de ces structures ordonnées suit approximativement la valeur e/a = 1,36, comme la frontière α-β de Hume-Rothery. En règle générale les phases non compactes subissent la trempe martensitique compacte aux basses températures.

Abstract
In our present work we establish a systematic structure of the compact or non compact ordered phases, either binary or ternary, rich in I_B, or VIII_A metals. We show how the notion of dense plane patterns allows us to construct all the ordered structures, whatever their degree of complexity (with the exception of antiphase periodic structures or the β manganèse structure), starting with only 3 patterns, of which the site stoichiometries are XY, XY₃ and XYZ₂. The compact or non compact stability limit of these ordered structures follows, approximately, the value e/a = 1.36, like the αβ limit of Hume-Rothery. As a general rule, the non compact phases show a compact martensitic transition at low temperatures.