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J. Phys. Colloques
Volume 38, Numéro C2, Juillet 1977
Conférence Internationale sur les Petites Particules et Amas Inorganiques / International Meeting on the Small Particles and Inorganic Clusters
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| Page(s) | C2-191 - C2-194 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1977240 | |
J. Phys. Colloques 38 (1977) C2-191-C2-194
DOI: 10.1051/jphyscol:1977240
MORPHOLOGY OF FINE CRYSTALLITES FORMED BY GAS-EVAPORATION TECHNIQUE. FACE CENTRED METALS (Al, Co, Ni, Cu, Pd, In, Ag, Au AND Pb), SILICON AND GERMANIUM
T. HAYASHI1, Y. SAITO2, S. YATSUYA2, K. MIHAMA2 and R. UYEDA31 Musashino Electric Communication Laboratory, N.T.T., Midori-cho, Musashino-shi, Tokyo.
2 Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan
3 Department of Physics, Meijo University, Tempaku, Nagoya.
Résumé
Co, Ni, Cu, Pd, Ag et Au présentent des faciès nettement définis. 1) Octaèdres. 2) Formes dérivées de 1) avec un nombre pair ou impair de plans communs. 3) Bipyramides triangulaires. 4) Plaques triangulaires. 5) Décaèdres ou icosaèdres. Al, In et Pb présentent des faciès moins nets : 1) et 2) seulement. Le faciès de Ge est icositétraédrique et celui de Si est un polyèdre limité par vingt quatre plans 311.
Abstract
Co, Ni, Cu, Pd, Ag and Au showed clean-cut habits : 1) Octahedra. 2) Shapes derived from 1) with odd or even number of twin planes. 3) Triangular bipyramids. 4) Triangular plates. 5) Decahedra or icosahedra. While Al, In and Pb, less clean-cut habits ; only 1) and 2). The habit of Ge is icositetrahedra and that of Si, the polyhedra bounded by eight 111 and twenty four 311 planes.