Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 35, Numéro C3, Avril 1974
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite
Page(s) C3-165 - C3-171
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974323
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite

J. Phys. Colloques 35 (1974) C3-165-C3-171

DOI: 10.1051/jphyscol:1974323

RECOMBINAISONS RADIATIVES DANS CuGaS2

J. VON BARDELEBEN, B. MEYER, A. GOLTZENE and C. SCHWAB

Laboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide, Groupe de Recherches n


Résumé
Dans les monocristaux de CuGaS2 synthétisés par transport chimique par voie gazeuse, l'analyse spectrochimique a permis de détecter la présence de Fe, Ca, Si et Ni comme impuretés traces majeures. La concentration en fer, dont la présence sous forme de Fe3+ sur le site de Ga a été établie par résonance paramagnétique électronique, est liée à la coloration des échantillons. Les spectres de photoluminescence des échantillons non dopés peuvent être classés en deux groupes : une émission de raies proches du bord d'absorption et une émission de bandes à plus faible énergie. Le premier groupe est formé de raies ; à 4 954 Å, attribuée à la recombinaison excitonique, à 4 971 et 4 984 Å, interprétées comme une recombinaison d'excitons piégés. Le deuxième groupe est formé de bandes d'émission vers 5 180 Å, 5 385 Å et 5 500 Å qui ne sont pas présentes simultanément pour tous les échantillons. A intensité d'excitation croissante le maximum des bandes à 5 180 Å et 5 385 Å se déplace vers les grandes énergies alors que la largeur à mi-hauteur augmente. Ces bandes sont associées à des recombinaisons donneurs-accepteurs. La somme des énergies de liaison de ces centres, EA + ED est égale à 166 meV pour la bande à 5 180 Å et à 265 meV pour la bande à 5 385 Å. Aucune corrélation n'a pu être établie entre les impuretés détectées et les spectres de luminescence. Des cristaux ont été dopés intentionnellement au fer. Les mesures d'effet Mössbauer ont confirmé la présence de Fe3+ et révélé l'existence de Fe2+. Les mesures d'émission ont montré que Fe3+ a un comportement de "poison" pour les recombinaisons radiatives proches des transitions excitoniques. Le rôle des autres impuretés est discuté.


Abstract
Spectrochemical analysis has shown the presence of Fe, Ca, Si and Ni as major trace impurities in CuGaS2 single crystals synthetized by gaz transport reactions. The coloration of the samples is related to the iron concentration ; its presence as substitutional Fe3+, on the Ga sites, has been established by electron paramagnetic resonance. The photoluminescence edge emission spectrum of the undoped crystals can be separated into a group of narrow lines and a group of bands : the narrow line at 4 954 Å is ascribed to excitonic recombination and those at 4 971 Å and 4 984 Å to trapped exciton recombination. The bands at 5 180 Å, 5 385 Å and 5 500 Å are not present simultaneously on all samples. With increasing excitation intensity, the peak position of the bands at 5 180 Å and 5 385 Å moves towards higher energies, and their width increases. These bands are ascribed to acceptor-donor recombinations. The sum of the binding energies of the acceptor and the donor EA + ED is found to be 166 meV for the band at 5 180 Å and 265 meV for the band at 5 385 Å. However, no correlation could be found between detected impurities and the emission lines intensities. In the heavily Fe57 doped crystals, Mössbauer measurements confirmed the presence of Fe3+, but showed that Fe2+ was also present though at a smaller concentration. It could be proved that Fe3+ acts as an efficient edge emission luminescence killer. Possible traps induced by other impurities are discussed.