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J. Phys. Colloques
Volume 35, Numéro C3, Avril 1974
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite
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| Page(s) | C3-7 - C3-12 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974302 | |
J. Phys. Colloques 35 (1974) C3-7-C3-12
DOI: 10.1051/jphyscol:1974302
POMPAGE OPTIQUE D'EXCITONS DANS LES SEMICONDUCTEURS CUBIQUES
G. FISHMAN1, C. HERMANN2, G. LAMPEL2 and C. WEISBUCH21 Groupe de Physique des Solides de l'ENS, tour 23, 2, place Jussieu, 75005 Paris, France
2 Laboratoire de Physique de la Matière Condensée Ecole Polytechnique, 17, rue Descartes, 75005 Paris, France
Résumé
Nous avons étudié l'orientation optique des excitons libres ou liés à différentes impuretés dans les composés semiconducteurs cubiques InP, GaAs et CdTe. L'analyse du taux de polarisation de la lumière de recombinaison radiative des complexes observables donne des renseignements sur les différents temps de vie et temps de relaxation de spin, ainsi que sur les modes de formation des excitons libres et liés.
Abstract
We have studied the optical orientation of free excitons and excitons bound to several impurities in the cubic semiconducting compounds InP, GaAs and CdTe. The analysis of the polarization degree of the radiative recombination light of the several observable complexes gives some knowledge about the different lifetimes and spin relaxation times, as well as about the formation channels of free and bound excitons.