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J. Phys. Colloques
Volume 34, Numéro C9, Novembre 1973
Défauts de réseau dans les cristaux ioniques / Lattice defects in ionic crystals
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Page(s) | C9-393 - C9-401 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973967 |
J. Phys. Colloques 34 (1973) C9-393-C9-401
DOI: 10.1051/jphyscol:1973967
CONDUCTIBILITÉ IONIQUE
THEORY OF THE EFFECTS OF POINT DEFECT INTERACTIONS ON IONIC CONDUCTIVITY
A. R. ALLNATT and E. LOFTUS Department of Chemistry, University of Western Ontario, London, Ontario, N6A 3K7, Canada
Résumé
Le domaine de validité des hypothèses relatives aux interactions des défauts dans la théorie de Lidiard-Teltow de la conductivité ionique est discuté en deux parties et une tentative est effectuée dans chacune pour relier cette théorie à des travaux plus récents dans les domaines des solutions électrolytiques et de l'état solide. Dans la première partie, une nouvelle théorie de l'effet des interactions entre défauts sur les équations conventionnelles de loi d'action de masse pour la formation d'associations de défauts est soulignée. La nature des corrections à l'équation de la loi d'action de masse pour la formation de paires impureté-lacune dans la théorie de Lidiard-Teltow est soulignée et son domaine probable de validité discuté dans le cas de AgCl dopé par CdCl2. Une extension des équations générales de formation de défauts de Schotiky est effectuée mais sans calcul détaillé. Dans la deuxième partie, la théorie de la conductivité de Fuoss-Omsager est présentée sous une forme comparable à la théorie dans l'état solide. La grandeur des corrections de l'effet de relaxation dans les deux théories est comparée en même temps qui est discuté le domaine d'utilité des approximations.
Abstract
The range of validity of the assumptions about defect interactions in the Lidiard-Teltow ionic conductivity theory is discussed in two parts and an attempt made in cach to relate this theory to more recent work in electrolyte solution and solid state fields. In the first part a new theory of the effect of defect interactions on the conventional mass action equations for defect cluster formation is outlined. The nature of the corrections to the mass action equation for impurity-vacancy pair formation in the Lidiard-Teltow theory is outlined and its probable range of validity discussed for AgCl doped with CdCl2. An extension of the general equations to Schottky defect formation is made but without detailed calculations. In the second part the Fuoss-Onsager conductance theory is put into a form comparable to the solid state theory. The magnitude of the relaxation effect corrections in the two theories is compared and the range of usefulness of the available approximations discussed.