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J. Phys. Colloques
Volume 33, Numéro C2, Avril 1972
2e CONGRÈS EUROPÉEN DE FERROÉLECTRICITÉ
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| Page(s) | C2-223 - C2-225 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1972277 | |
J. Phys. Colloques 33 (1972) C2-223-C2-225
DOI: 10.1051/jphyscol:1972277
THE FILMS ON T. G. S. CLEAVED IN U. H. V.
Dr. V. ZIEBERTInstitut für Experimentalphysik II, 66, Saarbrücken, Germany
Résumé
Nous avons observé la surface du T. G. S. en mesurant la résistance, la mobilité due à l'effet Hall et la mobilité due à l'effet de champ quand on évapore une électrode semi-conductrice. Sur des surfaces du T. G. S. normalement préparées, la mobilité due à l'effet de champ est jusqu'à 20 fois plus petite que celle due à l'effet Hall, tandis que sur des surfaces du T. G. S. clivées dans un vide élevé (moins de 5 x 10-9 torr) ces deux mobilités sont pratiquement égales. Ce comportement différent est une conséquence de l'absence d'ions sur les surfaces de T. G. S. clivées sous vide élevé.
Abstract
The surface of T. G. S. is observed by measuring the resistance, the Hall effect mobility, and the field effect mobility of an evaporated semiconducting electrode. On the normaly preparated T. G. S. surface the field effect mobility is up to twenty times smaller than the Hall mobility, on in U. H. V.-cleaved T. G. S. (pressure less than 5 x 10-9 torr) against that the two mobilities are praktically equal. This different behaviour is a consequence of the ion absence at the U. H. V.-cleaved T. G. S. surface.