DEVIATIONS FROM STOICHIOMETRY AND LATTICE DEFECTS IN IV-VI COMPOUNDS AND THEIR ALLOYS. GENERAL FEATURES AND EXPERIMENTAL METHODS

Résumé
On dispose de beaucoup plus de renseignements sur les écarts à la stoichiométrie dans les composés IV-VI que dans n'importe quel autre groupe de composés semiconducteurs. Nous décrivons ici la remarquable combinaison des propriétés des composés IV-VI qui en font des matériaux particulièrement adaptés à l'étude expérimentale des écarts à la stoichiométrie. La présentation la plus pratique des résultats de ces études est sous la forme de projections du diagramme de phase tridimensionnel : température-composition, pression-composition et pression-température. Ce sont les caractères généraux de ces projections pour les composés IV-VI qui sont décrits, ainsi que les principales méthodes expérimentales employées pour leur détermination. En conclusion, nous rassemblons les différents types de résultats qui ont été rapportés pour chaque composé particulier.

Abstract
Considerably more information concerning deviations from stoichiometry is available for the IV-VI compounds than for any other group of semiconducting compounds. This paper first describes the unusual combination of properties exhibited by the IV-VI compounds which makes them especially suitable materials for experimental studies of stoichiometric deviations. The results of these studies are most conveniently presented in the form of temperature-composition, pressure-composition, and pressure-temperature projections of the three-dimensional phase diagram. The general features of these projections for the IV-VI compounds are described, together with the principal experimental methods which have been employed to determine them. The paper concludes by summarizing the types of data which have been reported for the individual compounds.