J. Phys. Colloques 51, C1-197-C1-202 (1990)
DOI: 10.1051/jphyscol:1990130
TEM INVESTIGATION OF COPPER PRECIPITATION AT GRAIN BOUNDARIES IN SILICON
U. JENDRICH et H.-J. MÖLLERDepartment of Materials Science, Case Western Reserve University, Cleveland, OH 44106, U.S.A.
Abstract
La précipitation aux joints de grains de particules riches en Cuivre a été étudiée par MET dans du Silicium polycristallin. Le Cuivre avait été gratté sur la surface avant un recuit à haute température. Le Cuivre se présente sous forme de colonies qui s'étendent sur 1-3 µm contenant des centaines de petites particules (60 nm). Ces particules sont nucléés sur les facettes et les dislocations des joints de grains. Les caractéristiques de ces particules sont identiques à celles étudiées dans le matériau monocristallin.
Abstract
The precipitation of copper rich particles at different grain boundaries in polycrystalline silicon was investigated in the TEM. They appear after a high temperature anneal with copper scraped on the surface. Tens to hundreds of small particles, up to 60 nm in size, form colonies of extension 1 to 3 µm. The particles nucleate at facets and dislocations in the grain boundaries and have similar features to those found in single crystal material.