Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 32, Numéro C2, Juillet 1971
COLLOQUE SUR LES 'EFFETS D'ANÉLASTICITÉ DUS AUX DÉFAUTS ET AUX TRANSFORMATIONS DE PHASE DANS LES SOLIDES'
Page(s) C2-169 - C2-172
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1971238
COLLOQUE SUR LES 'EFFETS D'ANÉLASTICITÉ DUS AUX DÉFAUTS ET AUX TRANSFORMATIONS DE PHASE DANS LES SOLIDES'

J. Phys. Colloques 32 (1971) C2-169-C2-172

DOI: 10.1051/jphyscol:1971238

DISLOCATION PINNING AND DEPINNING IN ELECTRON IRRADIATED MOLYBDENUM

Jenifer N. LOMER1 and J. F. R. RICHARDSON2

1  J. J. Thomson Physical Laboratory, Whiteknights, Reading RG 6 2AF
2  Colgate, Palm-Olive Ltd. Manchester.


Résumé
Les travaux précédents sur le polycristal de molybdène irradié aux électrons ont démontré que l'ancrage de dislocations a lieu entre 40 °K et 70 °K. Ceci est dans la région de l'étage I4 de revenu de la résistivité et a été interprété comme étant dû à la migration des interstitiels vers les dislocations. Les mesures ont été prolongées jusqu'à 830 °K. Un autre étage de l'ancrage a eu lieu à 520 °K. Ceci peut être mis en corrélation avec l'étage III de revenu de la résistivité et est censé se produire du fait de la migration d'un défaut du type de « vacancy ». Une région étendue de désancrage a eu lieu entre 90-290 °K dans des échantillons polycrystallins et à des températures un peu plus basses dans des monocristaux. Le désancrage est censé se produire quand les dislocations de nature différente libèrent des interstitiels. Ceci veut dire que la structure du réseau de la dislocation doit être différente dans les monocristaux et dans les polycristaux. Un désancrage partiel a eu lieu entre 550 °K et 650 °K dans tous les échantillons. Il est censé relever du fait du groupement des défauts des types « vacancy » sur les lignes de la dislocation.


Abstract
Previous work on polycrystalline electron irradiated molybdenum [1] shows that dislocation pinning occurred between 40 °K and 70 °K. This is the region of the resistivity annealing stage I4 and is interpreted as arising from the migration of interstitials to the dislocations. Measurements have now been extended to 830 °K. One further pinning stage occurred at 520 °K. This can be correlated with the resistivity annealing stage III and is thought to arise from the migration of a vacancy type defect. A broad region of depinning occurred between 90 °and 290 °K in polycrystalline samples, and at somewhat lower temperatures in single crystals. The depinning is thought to arise from the release of interstitials from dislocations of different character. This means that the structure of the dislocation network must be different in single and polycrystals. Partial depinning occurred between 550 °K and 650 °K in all the samples. It is thought to arise from clustering of the vacancy type defects on the dislocation lines.


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