Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 32, Numéro C1, Février 1971
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la 7ème CONFÉRENCE INTERNATIONALE DE MAGNÉTISME 1970
Page(s) C1-213 - C1-215
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1971167
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la 7ème CONFÉRENCE INTERNATIONALE DE MAGNÉTISME 1970

J. Phys. Colloques 32 (1971) C1-213-C1-215

DOI: 10.1051/jphyscol:1971167

CONCENTRATION EFFECT IN THE KONDO RESISTIVITY

K. MATHO1 and M. T. BEAL-MONOD2

1  C. R. T. B. T., C. N. R. S., Cédex 166, 38, Grenoble (Gare), France
2  Physique des Solides Faculté des Sciences, 91, Orsay, France


Résumé
On calcule, en Born au deuxième ordre, le temps de relaxation électronique dû à des paires d'impuretés magnétiques couplées, dans une matrice non magnétique. Pour des concentrations croissantes en impuretés la contribution des paires à la résistivité électrique se traduit par une suppression du terme Kondo en lnT à basse température. Pour le Mn dissous dans des métaux nobles on montre que l'accord avec l'expérience est quantitativement satisfaisant jusqu'à des températures en dessous de celle du maximum de résistivité.


Abstract
We have calculated, in the second Born approximation, the conduction electron scattering rate due to impurity pairs with long range magnetic coupling in a non magnetic host. The pair contribution to the electrical resistivity at non vanishing concentrations amounts to a suppression of the Kondo ln T term at low temperature. For Mn in noble metals quantitative agreement with experiments is observed down to temperatures below the resistivity maximum.


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