Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 32, Numéro C1, Février 1971
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la 7ème CONFÉRENCE INTERNATIONALE DE MAGNÉTISME 1970
Page(s) C1-424 - C1-431
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:19711150
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la 7ème CONFÉRENCE INTERNATIONALE DE MAGNÉTISME 1970

J. Phys. Colloques 32 (1971) C1-424-C1-431

DOI: 10.1051/jphyscol:19711150

KONDO SIDE-BANDS IN CERIUM INTERMETALLIC COMPOUNDS

H. J. van DAAL, F. E. MARANZANA and K. H. J. BUSCHOW

Philips Research Laboratories N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, The Netherlands


Résumé
La résistivité électrique (ρ) des composés hexagonaux Ce1-xLaxAI3, Ce1-xYxAI3 et Ce1-xThxAl3 (0 ≤ x ≤ 1) a été mesurée entre 1.3 et 300 °K. Dans les différents composés le comportement de ρ(T) montre soit un seul maximum large soit deux maxima dont celui situé à la température la plus basse peut être très aigu. La présence de ces maxima est attribuée à un type spécial de la diffusion d'échange de Kondo qui se manifeste en présence du dédoublement, dû au champ cristallin, du multiplet fondamental de Ce3+. Ce modèle de « Kondo side-bands » permet d'expliquer la variation systématique du comportement de p(T) si l'on remplace le Ce dans CeAl3 par La, Y ou Th. Il est montré qu'il existe une forte corrélation entre la variation de ρ(T) et ces substitutions qui causent un changement du champ cristallin et dans le cas de Th aussi un changement de la densité d'états.


Abstract
The electrical resistivity of compounds of the hexagonal systems Ce1-xLaxAl3, Ce1-xYxAl3 and Ce1-xThxAl3 (0 ≤ x ≤ 1) has been measured in the temperature range 1.3 to 300 °K. In the different compounds the resistivity as a function of temperature shows either one broad maximum or two maxima of which the one at the lower temperature can be very sharp. The presence of these maxima will be shown to be due to the occurrence of a special type of Kondo exchange scattering in the presence of crystal-field splitting of the Ce3+ ground multiplet : the « Kondo side-band » scattering mechanism. On the basis of the Kondo side-bands model, the systematic variation of resistivity behaviour upon replacement in CeAl3 of Ce by La, Y or Th will be shown to be correlated with the changes in the crystal-field parameters and in the case of Th also with a variation of the electronic density of states.