Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 29, Numéro C4, Novembre 1968
COLLOQUE INTERNATIONAL SUR LES COMPOSÉS IV-VI
Page(s) C4-105 - C4-113
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:1968415
COLLOQUE INTERNATIONAL SUR LES COMPOSÉS IV-VI

J. Phys. Colloques 29 (1968) C4-105-C4-113

DOI: 10.1051/jphyscol:1968415

TUNNELING IN IV-VI COMPOUNDS

P. J. STILES

IBM Watson Research Center Yorktown Heights, New York


Résumé
Des jonctions tunnel entre métal, isolant et composé semiconducteur IV-VI ont été réalisées pour du matériau semiconducteur monocristallin et polycristallin. Les caractéristiques courant-tension et les courbes de conductance ont été relevées en fonction de la température et du champ magnétique. Les résultats expérimentaux ont été interprétés par une théorie conventionnelle de l'effet tunnel et ont donné des renseignements sur les énergies de Fermi, les bandes interdites, leur variation avec la température, les travaux de sortie et les affinités électroniques. De plus, des renseignements ont été obtenus sur des niveaux profonds avec de forts facteurs g anisotropes, qui existent dans la bande interdite de certains semiconducteurs.


Abstract
Metal-insulator-IV-VI compound semiconductor tunnel junctions were formed for both single and polycrystalline semiconductor material. I-V and conductance characteristics were taken as a function of temperature, and magnetic field. The experimental results were interpreted in terms of a conventional tunneling theory, and yielded information on Fermi energies, band gaps, temperature dependence of band gaps, work functions and electron affinities. Also obtained was information on deep levels which have large anisotropic g values and exist within the band gap of some of the semiconductors.