Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 27, Numéro C3, Juillet-Août 1966
COLLOQUE SUR LA PHYSIQUE DES DISLOCATIONS
Page(s) C3-30 - C3-38
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:1966305
COLLOQUE SUR LA PHYSIQUE DES DISLOCATIONS

J. Phys. Colloques 27 (1966) C3-30-C3-38

DOI: 10.1051/jphyscol:1966305

DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS

P. HAASEN

(Institut für Metallphysik, Universität Göttingen, Allemagne)


Résumé
L'auteur résume les proprietés des dislocations dans les semiconducteurs, notamment leur vitesse de glissement et leur influence sur les propriétés de transport et donne quelques applications.


Abstract
Properties of dislocations in semiconductors are reviewed, mainly dislocation velocities and influence on transport properties. Applications are described.